特許

J-GLOBAL ID：200903067679733039

シリコン膜の形成方法

発明者： 福山 恵一 ,  高寺 勉 ,  清水 正文
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 岡田 和秀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-173683
公開番号（公開出願番号）：特開2000-007317
出願日： 1998年06月19日
公開日（公表日）： 2000年01月11日
要約：

【要約】【課題】 液体状の高次シランから形成されるシリコン膜の膜厚を容易に制御可能なシリコン膜厚の形成方法を提供する。【解決手段】 本発明に係るシリコン膜の形成方法は、液体状の高次シランを基体8上に塗布しておき、加熱に伴う高次シランの分解反応によって基体8上にシリコン膜を形成する方法であって、加熱される基体8そのものの設定温度を変化させてシリコン膜の膜厚を制御することを特徴としている。なお、高次シランは一般式がSinH2n+2もしくはSinH2n(nはn≧4の整数)のいずれかで表されるものであり、また、基体8の設定温度は250°C以上かつ450°C以下の範囲内であることとされている。

請求項（抜粋）：

液体状の高次シランを基体上に塗布しておき、加熱に伴う高次シランの分解反応によって基体上にシリコン膜を形成する方法であって、加熱される基体そのものの設定温度を変化させてシリコン膜の膜厚を制御することを特徴とするシリコン膜の形成方法。

IPC (2件)：

C01B 33/02 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

C01B 33/02 D ,  H01L 31/04 M

Fターム (19件)：

4G072AA01 ,  4G072BB09 ,  4G072FF01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH03 ,  4G072HH04 ,  4G072LL03 ,  4G072MM01 ,  4G072NN21 ,  4G072RR01 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4G072UU04 ,  5F051AA03 ,  5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051BA05 ,  5F051CB11 ,  5F051CB30