特許

J-GLOBAL ID：200903067683589783

Si基板を用いたガラス導波路およびその製造方法

発明者： 井本 克之
出願人/特許権者： 日立電線株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-332215
公開番号（公開出願番号）：特開平5-164932
出願日： 1991年12月16日
公開日（公表日）： 1993年06月29日
要約：

【要約】【目的】 反りがほとんどなく、コアとクラッドの間の屈折率差が大きく、かつ低損失なガラス導波路を実現する。【構成】 Si基板1表面に形成された溝10と、その溝10の内面に熱酸化処理を施して形成されたSi酸化膜2と、上記溝10に埋め込ようにして設けられた高屈折率ガラスのコア3と、そのコア3を被覆するようにして基板1上に設けられたクラッド層4とを備えていることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

Si基板表面に形成された溝と、その溝の内面に熱酸化処理を施して形成されたSi酸化膜と、上記溝に埋め込ようにして設けられた高屈折率ガラスのコアと、そのコアを被覆するようにして基板上に設けられたクラッド層とを備えていることを特徴とするSi基板を用いたガラス導波路。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭60-129711
  
• 特開平2-203305
  
• 特開昭64-090426