特許

J-GLOBAL ID：200903067684993987

アッシング方法及びアッシング装置

発明者： 上川 裕二 ,  吉岡 和敏 ,  松村 公治
出願人/特許権者： 東京エレクトロン九州株式会社
代理人 (1件)： 金本 哲男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-131376
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245262
出願日： 1988年05月13日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：

【要約】【目的】 被処理基板に対して、高速で均一なアッシング処理を施す。【構成】 処理室11内に半導体ウエハ12を載置する載置台を設ける。この載置台にはヒータ15aが内蔵され、半導体ウエハ12を下面側から加熱する。載置台の対向面には、ガス流排出部17を設け、オゾン発生器20からのアッシングガスが、半導体ウエハ12に対して流出される。ガス流排出部17にもヒータ22が設けられており、半導体ウエハ12を上面側から加熱すると共に、冷却装置16からの冷却水とで、アッシングガスをも所定の温度に制御できる。半導体ウエハ12は両面側から加熱され、さらにアッシングガスの温度も制御されるので、高速のアッシング処理が可能である。

請求項（抜粋）：

処理室内にアッシングガスを導入し、処理室内の被処理基板に対してアッシング処理を施す方法において、被処理基板の温度を100 ゚C〜350 ゚Cに加熱してアッシング処理を施すことを特徴とする、アッシング方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/30 572 A ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-043322
  
• 特開昭62-290134
  
• 特開昭63-070429
  
• 特開昭63-084029