特許

J-GLOBAL ID：200903067689180283

昇圧回路を有する半導体記憶装置

発明者： 辻 恵太郎
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-109080
公開番号（公開出願番号）：特開平9-282890
出願日： 1996年04月30日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、安定したセンシング動作を行なうセンスアンプ回路を有する半導体記憶装置を提供することを目的とする。【解決手段】 印加される第1電圧をさらに高電圧である第2電圧に昇圧する回路22と、第1電圧で動作するメモリセルアレイ11と、第1電圧で動作しアドレス信号に応じてメモリセルアレイより一つのメモリセルを特定するデコーダ13、18と、この第2電圧で動作し特定されたメモリセルから与えられる電位から電位変化を検出してメモリセルが記憶しているデータを読み出すセンスアンプ21と、を具備することを特徴とする半導体記憶装置。

請求項（抜粋）：

第1所定電圧が印加される電源入力手段;と、前記電源入力手段から前記第1所定電圧を供給され、これをさらに高電圧である第2所定電圧に昇圧する手段;と、前記第2所定電圧が供給されることで動作し、外部のメモリセルから与えられる電位から電位変化を検出し、この電位変化により前記メモリセルが記憶しているデータを読み出す手段;と、を具備することを特徴とするセンスアンプ回路。

IPC (2件)：

G11C 11/419 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 11/34 311 ,  G11C 11/34 335 A