特許

J-GLOBAL ID：200903067689822382

陰極アーク放電を用いた成膜装置

発明者： 小西 善之
出願人/特許権者： 株式会社島津製作所
代理人 (1件)： 永井 冬紀
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-010045
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212714
出願日： 2001年01月18日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】 基板と成膜された膜との密着性を向上させることができ、かつ、帯電による静電破壊を防止することができる成膜装置の提供。【解決手段】 プラズマビームが照射される基板41に対して、バイアス電圧印加装置46により負の直流バイアス電圧を印加しつつ周期的に正のパルスバイアス電圧を印加する。基板41は正のカーボンイオンが堆積することにより正に帯電するが、正のパルスバイアス電圧が印加されたときにプラズマ中の電子が基板41に引き込まれることにより、帯電状態が解消または低減される。その結果、帯電による静電破壊を防止することができる。パルスバイアス電圧が印加されないときには常に負の直流バイアス電圧が印加されているので、密着性の良い薄膜が基板41に形成される。

請求項（抜粋）：

陰極アーク放電によりターゲットの正イオンを含むプラズマビームを生成し、そのプラズマビームを基板上に照射して薄膜を成膜する成膜装置において、前記基板に対して負の直流バイアス電圧を印加しつつ前記基板の正の帯電を中和する正のパルスバイアス電圧を印加するバイアス電圧印加装置を備えたことを特徴とする成膜装置。

Fターム (7件)：

4K029BA34 ,  4K029BC02 ,  4K029BD04 ,  4K029CA03 ,  4K029CA13 ,  4K029DA00 ,  4K029DD06