特許
J-GLOBAL ID：200903067692249030
強誘電体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-186195
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028773
出願日： 1991年07月25日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：
【要約】【目的】 強誘電体の単位セル当りのメモリ容量をセル面積を変える事なく増加することを図る。【構成】 1個の強誘電体の表裏両面に夫々複数個の電極を並列して配置し、各電極間の電界をコントロールする事により、各々の強誘電体コンデンサに対して2値以上の電荷量を保持させることができるようにする。
請求項（抜粋）：
1個の強誘電体の表面に少なくとも1個以上の電極を設ける一方、裏面に少なくとも2個以上の電極を設け、かつ該電極の内から表面と裏面で1つづつの電極を選択的に特定し、該特定した電極にパルス電界を印加して、3値以上の分極反転状態を生ぜしめるようにしたことを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (2件)：
引用特許：
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