特許
J-GLOBAL ID：200903067696037054
荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-210165
公開番号（公開出願番号）：特開平5-211113
出願日： 1992年08月06日
公開日（公表日）： 1993年08月20日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路、特にLSIを製作するための荷電粒子ビーム露光装置に関し、荷電粒子ビームの行路を短くし、外部の浮遊磁場の影響、鏡筒の内部の汚染部に蓄積された電荷の影響及び電子間相互作用の影響などを少なくし、荷電粒子ビームの軌道をより正確に制御することが可能となる荷電粒子ビーム露光装置及び露光方法の提供を目的とする。【構成】 荷電粒子ビームの発生源14、アパーチャ15、ステンシルマスク20、第一と第二のマスク入力偏向器21,22 、第一と第二のマスク出力偏向器23,24 、第一と第二の電磁レンズ18,19 を含むレンズ系を具備する構成を有し、このステンシルマスク20のステンシルパターンブロックの像を対象物40の表面に露光する荷電粒子ビーム露光装置において、このステンシルマスク20の上流側に配置された第一の補正コイル41,42 と、このステンシルマスクの下流側に配置された第二の補正コイル44,45 とを具備するように構成する。
請求項（抜粋）：
荷電粒子ビームの発生源(14)、複数のステンシルパターンブロック(20a) を備えたステンシルマスク(20)、該ステンシルマスク(20)の上流側に配置された第一と第二のマスク入力偏向器(21,22) 、該ステンシルマスク(20)の下流側に配置された第一と第二のマスク出力偏向器(23,24) 、該ステンシルマスク(20)の上流側と下流側にそれぞれ配置された二つの電磁レンズ(18,19) を含むレンズ系、更に前記ステンシルマスク(20)の下流側に配置された補正コイル(44,45) とアパーチャ電極(27)を有し、該荷電粒子ビームは第一と第二のマスク入力偏向器(21,22) により中心軸より選択された前記ステンシルパターンブロック(20a) 上に偏向され、該ステンシルパターンブロック(20a) を透過することによりその外形をステンシルパターンに整形された荷電粒子ビームが第一と第二のマスク出力偏向器(23,24) により中心軸に戻され、集束された該荷電粒子ビームは前記アパーチャ電極(27)を透過して最後に前記荷電粒子ビームの該ステンシルパターンの像を前記対象物(40)の表面に露光する露光装置を用いる露光方法において、該露光方法が該荷電粒子ビーム(以下単にビームと記す)が前記ステンシルパターンブロック(20a) の下流側の走行中に発生する収差を補正するために、該補正コイル(44,45) に流す電流値を最適にするよう下記のステップを含むことを特徴とする荷電粒子ビーム露光方法、(a) 選択したステンシルパターンブロックと該アパーチャ電極を透過するビームを形成し、対象物に到達したビーム電流を測定する、(b) 該補正コイルを流れる電流に僅かの変化を与える、これによってアパーチャ上でビーム位置がずれビームのシャープ度に変化を与える、(c) 該マスク入力及び出力偏向器を調整して対象物上でのビーム電流の最大値を検知することによりビーム位置をアパーチャ上で元の位置に戻す、この際最大ビーム電流と対象物の表面でのビーム位置のずれを測定する、(d) 上記ステップ(c) を繰り返して[アパーチャ電極透過ビーム電流/対象物表面でのビームずれの量]の最大を求める、(e) 更に補正コイル電流を変えて上記ステップ(b) から(d) を繰り返して、各繰り返しステップ毎に最大アパーチャ電極透過ビーム電流を記録する、(f) ステップ(e) でのアパーチャ電極透過ビーム電流の最大値を示す時の補正コイル電流を得る。
IPC (3件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
, G03F 7/20 521
H01L 21/30 341 S
, H01L 21/30 341 B
