薄膜トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：押田良久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-298905
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106599
出願日： 1993年11月04日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】【目的】エッチング処理やレーザビーム模様の調整などの複雑な工程なしに、ポリシリコン層の選択結晶化を行なう、液晶表示素子駆動用の高特性の薄膜トランジスタの製造方法の提供。【構成】ガラス基板21上にゲート電極22を作成し、該ゲート電極22上に絶縁層23を形成し、該絶縁層23上に非晶質シリコン層24を形成する形成工程と、ビームの両側末端部に、互いに重なり合うオーバーラップ部が生じるように、前記非晶質シリコン層24の表面にレーザビームを走査する走査工程とを有する。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上にゲート電極を作成し、該ゲート電極上に絶縁層を形成し、該絶縁層上に非晶質シリコン層を形成する形成工程と、ビームの両側末端部に、互いに重なり合うオーバーラッパ部が生じるように、前記非晶質シリコン層の表面にレーザビームを走査する走査工程とを有することを特徴とする液晶表示素子駆動用の薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/20 , H01L 27/12

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-050818
特開昭57-128024
特開昭60-086818

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