特許
J-GLOBAL ID：200903067702900150

粗ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートの精製方法および精製ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレート

発明者：
稲田 修司

稲田 修司 について

, 
佐藤 菊智

佐藤 菊智 について


出願人/特許権者：
株式会社アイエス

株式会社アイエス について


代理人 (1件)： 大島 正孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-222663
公開番号（公開出願番号）：特開2001-048835
出願日： 1999年08月05日
公開日（公表日）： 2001年02月20日
要約：
【要約】【課題】 粗ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートから高品質のビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを得るための蒸発または蒸留精製方法を提供する。【解決手段】 (i)Na、Mg、Ca、Fe、Co、Zn、Ti、Sn、Sb、GeおよびPよりなるカチオンおよび(ii)ハロゲン、NO2、NO3、PO4およびSO4よりなるアニオンの合計含有量が50ppm以下である粗ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを減圧下蒸発または蒸留することを特徴とする、ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレート精製方法。
請求項（抜粋）：
(i)Na、Mg、Ca、Fe、Co、Zn、Ti、Sn、Sb、GeおよびPよりなるカチオンおよび(ii)ハロゲン、NO2、NO3、PO4およびSO4よりなるアニオンの合計含有量が50ppm以下である粗ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートを減圧下蒸発または蒸留することを特徴とする、ビス-β-ヒドロキシエチルテレフタレートの精製方法。
IPC (2件)：
C07C 67/54 ,  C07C 69/82
FI (2件)：
C07C 67/54 ,  C07C 69/82 B
Fターム (8件)：
4H006AA01 ,  4H006AA02 ,  4H006AB46 ,  4H006AD11 ,  4H006BC51 ,  4H006BC52 ,  4H006BJ50 ,  4H006BN10
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (2件)
  • 特公昭49-015255
  • 特開昭49-036646

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