特許
J-GLOBAL ID：200903067705693512
シリコンフィールドエミッタアレイの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-274085
公開番号（公開出願番号）：特開平7-192616
出願日： 1994年11月08日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：
【要約】【目的】 製造工程を簡単にし、歩留りが高く、動作の均一性が保障できるフィールドエミッタアレイの製造方法を提供する。【構成】 P型シリコン基板10の上に窒化シリコン膜11を被覆しフッ酸(HF)溶液に入れて電力を供給し約1〜2μmの深さの多孔質シリコン膜12を形成しすると共に窒化シリコン膜11直下の部分に円錐突起状の非多孔質化部分を形成したあと、多孔質シリコン膜12とその下のシリコン基板の一部とを熱酸化させ、多孔質酸化シリコン膜24と熱酸化シリコン膜24′とを各々形成せしめると共に突起状の非多孔質化部分をさらに尖鋭化して陰極用チップ21を形成し、そして、多孔質酸化シリコン膜24の上に金属薄膜を被覆し一部を食刻してゲート電極22を作り、さらに窒化シリコン膜11と多孔質酸化シリコン膜24と熱酸化シリコン膜24′の一部を食刻する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上面に窒化シリコン膜のパターンを被せる工程と、この窒化シリコン膜のパターン以外のシリコン基板上面を適宜な深さに多孔質化させて多孔質シリコン膜を形成すると共に窒化シリコン膜の直下に多孔質化されていない突起状の非多孔質化部分を形成する工程と、多孔質シリコン膜とその下のシリコン基板を熱酸化して各々多孔質酸化シリコン膜と熱酸化シリコン膜とにすると同時に突起状の非多孔質化部分をさらに尖鋭化させて陰極用チップとする工程と、窒化シリコン膜と多孔質酸化シリコン膜と熱酸化シリコン膜とを食刻することにより陰極用チップを現出させる工程とを少なくとも含むことを特徴とするシリコンフィールドエミッタアレイの製造方法。
IPC (4件)：
H01J 9/04
, H01J 1/30
, H01J 31/15
, H01J 37/073
