特許

J-GLOBAL ID：200903067707970220

半導体発光素子

発明者： 山本 剛之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-199573
公開番号（公開出願番号）：特開平9-051142
出願日： 1995年08月04日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【目的】 単一極性の電源動作する光変調器を集積した半導体レーザを得る。【構成】 1)同一基板上に, 電流注入により光を増幅する活性層を有するレーザ部と, 電圧印加により吸収係数が変化する吸収層を有する変調器部とが光の共振器方向に集積され,該活性層の下層は該基板と同じ導電型であり,該活性層の上層は該基板と反対型の導電型であり, 該吸収層の下層は該基板と反対型の導電型であり, 該吸収層の上層は該基板と同じ導電型である半導体発光素子,2)前記変調器部の導電型が,n型基板を用いた場合には上層よりp/n/p/nであり,p型基板を用いた場合には上層よりn/p/n/pであり,素子表面の導電型がレーザ部, 変調器部とも同一である半導体発光素子。

請求項（抜粋）：

同一基板上に, 電流注入により光を増幅する活性層を有するレーザ部と, 電圧印加により吸収係数が変化する吸収層を有する変調器部とが光の共振器方向に集積され,該活性層の下層は該基板と同じ導電型であり,該活性層の上層は該基板と反対型の導電型であり, 該吸収層の下層は該基板と反対型の導電型であり, 該吸収層の上層は該基板と同じ導電型であることを特徴とする半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/10

FI (3件)：

H01S 3/18 ,  G02F 1/025 ,  H01S 3/10 A