特許
J-GLOBAL ID：200903067708845712
半導体発光装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
牛久 健司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-073256
公開番号（公開出願番号）：特開平5-235487
出願日： 1992年02月25日
公開日（公表日）： 1993年09月10日
要約：
【要約】【目的】 半導体層上にリッジ部埋め込み層として誘電体膜を有するリッジ導波路型半導体発光装置の製造方法において,誘電体膜と半導体層との密着性を向上させる。【構成】 半導体層上にリッジ形成のためのエッチング・マスクとしてポリイミドを用いる。誘電体膜を半導体層上に基板加熱を行ないながらスパッタ法もしくは電子ビーム蒸着法により成長させる。上記誘電体膜の形成後,上記ポリイミド・マスクをリフトオフ法により除去し,その際に硫化アンモニウム液を使用する。
請求項（抜粋）：
半導体層上にリッジ埋め込み層として誘電体膜を有するリッジ導波路型半導体発光装置において,リッジ部形成のためのエッチング・マスクとしてポリイミドを使用し,リフトオフ法によりリッジ両側に誘電体膜を形成する半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件)：
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