特許

J-GLOBAL ID：200903067715903230

半導体装置及びその製造方法

発明者： 横長 徳之
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-125783
公開番号（公開出願番号）：特開平10-321799
出願日： 1997年05月15日
公開日（公表日）： 1998年12月04日
要約：

【要約】【課題】 水素を含むガスを用いた製造プロセスを有する半導体装置において、水素による半導体素子の特性劣化を防止しうる半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 下地基板10と、下地基板10上に形成され、蓄積電極46と、蓄積電極46上に形成された誘電体膜48と、誘電体膜48上に形成された対向電極54とを有するキャパシタと、54対向電極上に形成された水素吸蔵金属膜56とにより半導体装置を構成する。基板表面側から侵入する水素は、水素吸蔵金属膜56によりトラップされるので、誘電体膜48に達してキャパシタ特性の劣化をもたらすことはない。

請求項（抜粋）：

下地基板と、前記下地基板上に形成され、蓄積電極と、前記蓄積電極上に形成された誘電体膜と、前記誘電体膜上に形成された対向電極とを有するキャパシタと、前記対向電極上に形成された水素吸蔵金属膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/322

FI (2件)：

H01L 27/04 C ,  H01L 21/322 S