特許
J-GLOBAL ID：200903067721576100
半導体加速度センサのストッパーの形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
林 敬之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-160356
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032088
出願日： 1994年07月12日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 一回のパターニングで凹部マスク4と凸部マスク3を形成し、一回のストッパー基板1のエッチングで凹部6凹部6の中に少なくとも一つの凸部5を形成することである。【構成】 ストッパー基板にマスク材となる薄膜を形成する工程と、前記マスク材にパターンを形成する工程と、前記パターンを形成したストッパー基板に等方性エッチングを施し、凹部と凹部の中に少なくとも一つの凸部を同時に形成する工程と、前記マスク材を除去する工程とする。【効果】 一回のパターニングで凹部マスク4と凸部マスク3を形成し、一回のストッパー基板1のエッチングで凹部6と凹部5を形成することができるため、工程数が減るという効果がある。また、凸部の先端が等方性エッチングで丸みを帯びるので、加速度センサの重りが凸部に当たったとき、重りを傷つけることがないという効果がある。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、重りを梁で支持し、梁の支持部付近に拡散抵抗を形成し、前記梁の変位に応じて前記拡散抵抗に生じる抵抗値変化を検出することによって加速度を検出する半導体加速度センサで、重りの上下に凹部を設け、さらに凹部の中に少なくとも一つの凸部を形成したストッパー基板の形成方法において、前記ストッパー基板にマスク材となる薄膜を形成する工程と、前記マスク材にパターンを形成する工程と、前記パターンを形成したストッパー基板に等方性エッチングを施す工程と、等方性エッチングにより凸部マスクが剥がれる工程と、等方性エッチングにより凹部と凹部の中に少なくとも一つの凸部を同時に形成する工程と、前記マスク材を除去する工程からなる半導体加速度センサのストッパーの形成方法。
IPC (2件)：
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