特許

J-GLOBAL ID：200903067721632213

電解研磨液、電解研磨方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 佐藤 修三 ,  野上 毅 ,  高橋 新吾 ,  駒井 尚紀 ,  田井 香織 ,  堀越 浩 ,  大鳥居 英
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 佐藤 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-129163
公開番号（公開出願番号）：特開2003-311540
出願日： 2002年04月30日
公開日（公表日）： 2003年11月05日
要約：

【要約】【課題】 研磨砥粒の凝集沈殿を発生することなく導電性を向上する。また、研磨対象となる金属膜や配線の欠陥を引き起こすことなく良好な平坦化を実現する。【解決手段】 電解研磨液E中で、研磨対象となる金属膜表面を電解作用によって酸化しながら当該金属膜表面に研磨パッド15を摺動させて平坦化を行う電解研磨方法であって、上記電解研磨液Eは、少なくとも研磨砥粒と、上記研磨砥粒の帯電状態を維持する電解質とを含有する。高い導電性を示す電解研磨液を用いるので、高い電解電流値が得られるとともに、極間距離を大きくすることができる。また、本発明の電解研磨方法では、研磨砥粒の分散状態が良好な電解研磨液を用いるので、研磨後に砥粒残りやスクラッチ等の欠陥の発生がない。

請求項（抜粋）：

研磨対象となる金属膜表面を電解作用によって酸化しながら当該金属膜表面に研磨パッドを摺動させて平坦化を行う電解研磨方法に用いられる電解研磨液であって、少なくとも研磨砥粒と、上記研磨砥粒の帯電状態を維持する電解質とを含有することを特徴とする電解研磨液。

IPC (2件)：

B23H 5/12 ,  H01L 21/304 622

FI (2件)：

B23H 5/12 ,  H01L 21/304 622 D

Fターム (3件)：

3C059AA02 ,  3C059GA00 ,  3C059GB03

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 研磨方法、研磨装置、メッキ方法およびメッキ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-284260   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法および研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-056038   出願人：ソニー株式会社
• 磁気ディスク用基板の表面加工方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-306227   出願人：三菱化学株式会社
• 複合電解研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-234856   出願人：西山ステンレスケミカル株式会社