特許
J-GLOBAL ID：200903067727644221
ヘテロ接合光電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
吉田 研二
, 石田 純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-347096
公開番号（公開出願番号）：特開2006-157028
出願日： 2005年11月30日
公開日（公表日）： 2006年06月15日
要約：
【課題】異種半導体へテロ接合を有する光電池を低コストで毒性のないありふれた原材料から容易に製造できるようにする。【解決手段】金属を含む二成分化合物14とそれと同種の金属を含む別の種類の二成分化合物16とによりヘテロ接合を形成し、このヘテロ接合で光起電力を提供する太陽電池デバイス10を実現する。二成分化合物14及び16のうち少なくとも一方にドーピングを施し、両者の伝導帯間のエッジオフセットが約0.4eV超になるようにする。光吸収素材として機能する二成分化合物16のバンドギャップは約1.0〜約1.8eVとする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
電荷移送素材及び光吸収素材によるヘテロ構造と、このへテロ構造の頂面上に配置された第1透明電極と、そのへテロ構造の底面下に配置された第2電極と、を備え、
電荷移送素材及び光吸収素材が互いに同種の金属を含む互いに異種の化合物であり、
光吸収素材が約1.0〜約1.8eVのバンドギャップを有し、
電荷移送素材及び光吸収素材のうち一方又はその双方に対し両者の伝導帯間のエッジオフセットが約0.4eV超となるようドーピングが施された太陽電池デバイス。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (5件)：
5F051AA10
, 5F051CA13
, 5F051DA07
, 5F051FA04
, 5F051GA03
