特許
J-GLOBAL ID：200903067729472509
薄膜の製膜方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
坂本 栄一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-030481
公開番号（公開出願番号）：特開平5-315269
出願日： 1993年02月19日
公開日（公表日）： 1993年11月26日
要約：
【要約】【目的】CVD法により薄膜デバイスに用いるGe、SiGe薄膜を基板上に製膜する。【構成】温度範囲が200〜600°Cの加熱基板上に、GeF4 ガスとシランガス(Sin H2n+2,nは1〜3の整数)の混合ガスを供給する。
請求項（抜粋）：
基板温度が、200〜600°Cの温度範囲である加熱基板上に、GeF4 とシランガス(Sin H2n+2,nは1〜3の整数)の混合ガスを供給することによりGeあるいはSiGe薄膜を堆積させることを特徴とする薄膜の製膜方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/30
, G03G 5/08 317
