特許
J-GLOBAL ID：200903067732807767
量子化機能素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-086177
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283400
出願日： 1996年04月09日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：
【要約】【課題】 再現性良く10nmレベルのシリコン量子細線を形成する。【解決手段】 シリコン基板上のある結晶軸方向に合わせて矩形の絶縁膜パターン13を形成したのち、導電型の探針15を具備した原子間力顕微鏡により絶縁膜パターン13を含む素子形成領域の表面凹凸を測定する。次に、絶縁膜パターン13に対し角度θだけずらして、電界支援酸化法により開口幅Aの素子形成領域100内に、幅Bの酸化膜マスクパターンを描画する。最後に、酸化膜マスクパターンをエッチングマスクとし、アルカリ系溶液による結晶異方性エッチングを行い、側壁が(111)面から構成される幅(B/cosθ-Atanθ)のシリコン微構造を形成する。
請求項（抜粋）：
シリコン基板上の所定の結晶軸方向に合わせて矩形の絶縁膜パターンを形成する工程と、導電型の探針を具備した原子間力顕微鏡により該絶縁膜パターンを含む素子形成領域の表面凹凸を測定する工程と、該絶縁膜パターンに対し角度θだけずらして、電界支援酸化法により開口幅Aの該素子形成領域内に、幅Bの酸化膜マスクパターンを描画する工程と、該酸化膜マスクパターンをエッチングマスクとし、アルカリ系溶液による結晶異方性エッチングを行い、側壁が(111)面から構成される幅(B/cosθ-Atanθ)のシリコン微構造を形成する工程とを包含した、量子化機能素子の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/30 541 Z
, H01L 29/06
