特許

J-GLOBAL ID：200903067736720100

半導体レーザダイオード装置およびその製造方法

発明者： アポロノフ、ヴィクトル・ヴィクトロヴィッチ ,  ババイアンツ、ゲナーディ・イヴァノヴィッチ ,  デルヤヴィン、セルゲイ・イゴールヴィッチ ,  キチマホフ、バトーリ・チャキモヴィッチ ,  コヴァル、ユーリ・ペトロヴィッチ ,  コズミノフ、ヴィターリ・ヴラジミロヴィッチ ,  マチコヴスキー、ドミトリ・アレクサンドロヴィッチ ,  プロコロフ、アレクサンドル・ミハイロヴィッチ ,  スメカリン、ヴィクトル・パヴロヴィッチ ,  コルニョー、ジャン ,  フッシェー、ティエリイ・ジャン・ダニエル・グザヴィエー
出願人/特許権者： コンパニイ・アンデュストリエル・デ・ラゼール・セーイーエルアーエス
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-516273
公開番号（公開出願番号）：特表2000-501574
出願日： 1997年09月26日
公開日（公表日）： 2000年02月08日
要約：

【要約】半導体レーザダイオード装置。この発明は熱伝導性の優れた材料でできた個別のウエハ(8)を有する半導体レーザダイオード装置に関する。ウエハ(8)の間には、支持部材として半導体ダイオード接続バー(9)が互いに平行に設けられ、半導体ダイオード接続バー(9)はウエハ(8)の間の空間のうち長手方向の一部しか占有せず、半導体ダイオード接続部材(9)に占有されていない長手方向の部分(17)は冷却流体のための循環溝に使用される。

請求項（抜粋）：

熱伝導性に優れた材料でできた互いに平行に間隔を開けて設けられた複数の壁部(8)と、 レーザダイオードを含む複数の半導体ストリップ(9)と、前記半導体ストリップ(9)を冷却するための流体循環式冷却手段とを備え、前記壁部は、少なくとも略同一平面上で長手方向の自由縁部(10)を有し、前記縁部は前記縁部の各側部で前記壁部の両面(8A、8B)に延びた導電性材料のフィルム(11)を支持し、前記各半導体ストリップは輻射面(12)を有してこの輻射面を通して対応するストリップのレーザダイオードが発光し、前記半導体ストリップ(9)は前記壁部(8)間の空間に長手方向に収容され、前記各半導体ストリップ(9)はそれが収容されている2つの壁部の対向面に締結されて、前記半導体ストリップ(9)が前記導電性材料よりなるフィルムにより直列に電気接続され、前記半導体ストリップの前記輻射面(12)は前記壁部の前記長手方向の前記自由縁部(10)と少なくとも略同一平面上に位置してなるレーザダイオード装置において、 互いに平行に間隔を開けた前記壁部は、間にスペーサとして前記半導体ストリップ(9)を挟んで互いに接合された個々のプレート(8)により形成され、 前記半導体ストリップ(9)は前記プレート(8)間の前記半導体ストリップ(9)が収容される空間のうち長手方向の一部しか占有せず、前記プレート(8)間の空間のうち前記半導体ストリップ(9)に占有されていない長手方向の部分は前記冷却流体のための循環溝(17)として機能することを特徴とするレーザダイオード装置。

IPC (2件)：

H01S 5/024 ,  H01S 5/022

FI (2件)：

H01S 3/18 614 ,  H01S 3/18 612