特許

J-GLOBAL ID：200903067737973436

ポジ型フオトレジスト組成物

発明者： 河辺 保雅 ,  山中 司 ,  小久保 忠嘉
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-214193
公開番号（公開出願番号）：特開平5-034914
出願日： 1991年08月01日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】 特に半導体デバイス等の製造において、高感度で解像力、現像性、耐熱性に優れたレジストパターンが得られるポジ型フオトレジスト組成物を提供する。【構成】 ポジ型フオトレジスト組成物が、アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物及び下記一般式(I)〜(IV)で表される芳香族カルボン酸類から選ばれた化合物を少なくとも1種含有する。【化1】

請求項（抜粋）：

アルカリ可溶性樹脂、キノンジアジド化合物及び下記一般式(I)〜(IV)で表される芳香族カルボン酸類から選ばれた化合物を少なくとも1種含有することを特徴とするポジ型フオトレジスト組成物。【化1】ここで、R1:水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、アルケニル基、もしくは、【化2】a:1〜3の整数で、かつ、a+b=6を表す。【化3】ここで、R2,R3:同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、アルケニル基、もしくは【化4】c,d,e,f:いずれも正の数で、1≦c+d≦4,かつ、c+e=d+f=5X:-C(-R4,-R5)-,-C(=O)-,-S(=O)2-,-S-S-,-NH-,-NHCH2-,-O-,-COO-,-NHCO-,単結合,アルキレン基,オキサアルキレン基,もしくは【化5】R4,R5:同一でも異なっても良く、アルキル基もしくはパーフルオロアルキル基、を表す。【化6】ここで、R6,R7:同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、アルケニル基、もしくは【化7】g,h,i,j:いずれも正の数で、1≦g+h≦4,かつ、g+i=h+j=4、R8,R9:同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、水酸基、アルキル基、アルコキシ基、ニトロ基、もしくはアルケニル基、k,m:0もしくは1〜3の整数、l,n:0もしくは1〜4の整数、かつ、k+m=3,l+n=4Y:単結合、アルキレン基、もしくは-OSO2-基、を表す。【化8】ここで、R10,R11:同一でも異なっても良く、水素原子、ハロゲン原子、もしくはアルキル基、R12、R13、R14:同一でも異なっても良く、水素原子もしくはアルキル基o,p,q,r:いずれも正の数で、かつ、1≦o+p≦4,o+q=4,p+r=5、を表す。

IPC (2件)：

G03F 7/022 ,  H01L 21/027