特許
J-GLOBAL ID：200903067738312484
半導体加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
後藤 洋介 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-012461
公開番号（公開出願番号）：特開平9-203748
出願日： 1996年01月29日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】 浮遊容量の影響を受けず、処理回路を簡単な回路で実現できる、従って、特性が安定で価格も低価格な半導体加速度センサを提供すること。【解決手段】 おもり部4と梁部9とが形成されたシリコン基板1の上下面にそれぞれ上側絶縁基板2、下側絶縁基板3が接合され、シリコン基板1のおもり部4の平面部に、ストライプ状の薄膜磁気抵抗素子6が形成されていると共に、上側絶縁基板2及び下側絶縁基板3の少なくとも一方に、薄膜磁気抵抗素子6に磁界を印加する外部磁性体7が設けられている。
請求項（抜粋）：
おもり部と梁部とが形成されたシリコン基板の上下面にそれぞれ上側絶縁基板、下側絶縁基板が接合され、前記シリコン基板のおもり部の平面部に、ストライプ状の薄膜磁気抵抗素子が形成されていると共に、前記上側絶縁基板及び下側絶縁基板の少なくとも一方に、前記薄膜磁気抵抗素子に磁界を印加する外部磁性体が設けられていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/12
, H01L 29/84 Z
