特許
J-GLOBAL ID:200903067741518794

半導体集積回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大菅 義之
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-143554
公開番号(公開出願番号):特開平8-018425
出願日: 1994年06月24日
公開日(公表日): 1996年01月19日
要約:
【要約】【目的】 比較的大きな駆動電流を必要とする負荷を高速で駆動制御するためのプッシュ・プル型出力回路を実現する。【構成】 2つのnpn型トランジスタQ1、Q2を直列に接続し、その接続点に負荷としてpMOSを接続する。トランジスタQ1のコレクタにVCC1 を印加し、トランジスタQ2のエミッタを接地GNDに接続する。トランジスタQ1のベースに接続させて、エミッタホロワとしてnpn型トランジスタQ11を設ける。トランジスタQ2のベースに接続させて、ダーリントン接続でnpn型トランジスタQ12を設ける。トランジスタQ11、Q12を交互にオン・オフさせる制御信号を入力すると、それらトランジスタQ11、Q12がオン状態になったときに、それぞれトランジスタQ1、Q2にベース電流を供給する。
請求項(抜粋):
第1のトランジスタと第2のトランジスタを直列に接続し、該第1および第2のトランジスタの各ベースに互いに逆相の制御信号を入力し、それら第1および第2のトランジスタの上記接続点に接続される負荷を駆動する半導体集積回路において、上記第1または第2のトランジスタの少なくとも一方のトランジスタのベースに電流を供給する電流供給手段を接続したことを特徴とする半導体集積回路。
IPC (4件):
H03K 17/66 ,  H03F 3/30 ,  H03K 17/04 ,  H03K 17/567

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