特許

J-GLOBAL ID：200903067744594904

多結晶半導体膜の製造方法

発明者： 川久 慶人 ,  三橋 浩 ,  後藤 康正
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-155891
公開番号（公開出願番号）：特開平11-354444
出願日： 1998年06月04日
公開日（公表日）： 1999年12月24日
要約：

【要約】【課題】 非晶質半導体膜をレーザアニールにより結晶化して製造される多結晶半導体膜の結晶粒径及び結晶方位のばらつきを防止し、多結晶半導体膜の均質化を図り、均一特性の多結晶半導体TFTを得ることにより、液晶表示素子の表示品位の向上を図る。【解決手段】 ガラス基板10上の第1のa-Si膜14を、レーザ光のP偏光成分或いはS偏光成分の何れかでアニールして結晶方位の揃った結晶核からなる第1のポリシリコン膜16に結晶化する。次いで第1のポリシリコン膜16上に第2のa-Si膜17を形成後、レーザ光でアニールし、第1のポリシリコン膜16の結晶核を種として第2のa-Si膜17を結晶化して、結晶粒径及び結晶方位の揃った均質な第2のポリシリコン膜18を得る。

請求項（抜粋）：

基板上に堆積される非晶質半導体膜にレーザ光を照射して結晶化する多結晶半導体膜の製造方法において、前記基板上に非晶質半導体膜を製造する工程と、前記非晶質半導体膜に前記レーザ光のS偏光成分或いはP偏光成分の何れか一方のみの偏光成分を照射する第1の照射工程とを具備する事を特徴とする多結晶半導体膜の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268

FI (3件)：

H01L 21/20 ,  G02F 1/136 500 ,  H01L 21/268 F