特許
J-GLOBAL ID：200903067750839374
サリチル酸誘導体の多価金属塩及びその結晶の製造方法
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-045542
公開番号（公開出願番号）：特開平6-329613
出願日： 1994年03月16日
公開日（公表日）： 1994年11月29日
要約：
【要約】【構成】 一般式(1)で表されるサリチル酸誘導体のアルカリ金属塩と多価金属化合物とを、水の存在下で作用させた後、熱処理する該サリチル酸誘導体の多価金属塩の製造方法、および該多価金属塩のアモルファス体を、水の存在下に熱処理する該多価金属塩の結晶の製造方法。(式中、X1 およびX2 は水素原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基、アリール基またはハロゲン原子を、Y1 およびY2 は酸素原子または硫黄原子を、R1 は水素原子、アルキル基、アラルキル基またはアリール基を、R2 はアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはアリール基を表す)【効果】 記録材料用の電子受容性化合物として有用なサリチル酸誘導体の多価金属塩およびその結晶を効率良く製造する。
請求項（抜粋）：
一般式(1)(化1)で表されるサリチル酸誘導体のアルカリ金属塩と多価金属化合物とを水の存在下で作用させた後、熱処理することを特徴とする一般式(1)で表されるサリチル酸誘導体の多価金属塩の製造方法。【化1】(式中、X1 及びX2 は水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アルコキシ基、アラルキル基またはアリール基を、Y1 及びY2 は酸素原子または硫黄原子を、R1 は水素原子、アルキル基、アラルキル基またはアリール基を、R2 はアルキル基、アルケニル基、アラルキル基またはアリール基を表す)
IPC (5件)：
C07C271/28
, C07C269/06
, C07C271/58
, C07C333/08
, C07C333/24
