特許
J-GLOBAL ID：200903067752859640
II-VI族化合物半導体の熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 亮一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-004857
公開番号（公開出願番号）：特開平10-265299
出願日： 1998年01月13日
公開日（公表日）： 1998年10月06日
要約：
【要約】【課題】 結晶性を悪化させることなく、所望の比抵抗値の低抵抗化を可能にするII-VI 族化合物半導体の熱処理方法を提供しようとするものである。【解決手段】 II-VI 族化合物半導体を密閉容器内で熱処理する方法において、II-VI 族化合物単結晶表面に、ドナー不純物であるIII 族元素又はIII 族元素を含む化合物の膜を形成した後、その単結晶と、該単結晶を構成するII族元素を前記密閉容器に入れ、両者が接触しない状態に保持して加熱することを特徴とする熱処理方法である。
請求項（抜粋）：
II-VI 族化合物半導体を密閉容器内で熱処理する方法において、II-VI 族化合物単結晶表面に、ドナー不純物であるIII 族元素又はIII 族元素を含む化合物の膜を形成した後、その単結晶と、該単結晶を構成するII族元素を前記密閉容器に入れ、両者が接触しない状態に保持して加熱することを特徴とする熱処理方法。
IPC (4件)：
C30B 29/48
, C30B 31/02
, H01L 21/22
, H01L 21/385
C30B 29/48
, C30B 31/02
, H01L 21/22 C
, H01L 21/385
