特許

J-GLOBAL ID：200903067754410852

磁気抵抗素子の製造方法および磁気抵抗素子

発明者： 尾上 正樹
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-181595
公開番号（公開出願番号）：特開2002-374020
出願日： 2001年06月15日
公開日（公表日）： 2002年12月26日
要約：

【要約】【課題】加熱処理しても、スピントンネル効果膜の短絡および磁化特性の劣化を招くことのない、良好な磁気抵抗比が得られる磁気抵抗素子の製造方法を提供する。【解決手段】 基板1上に下部電極2を形成し、さらにその上に強磁性層3、トンネル絶縁膜4を順次形成する工程と、トンネル絶縁膜4の表面にレーザ光を一様に照射して加熱処理を行い、加熱処理後に、トンネル絶縁膜4上に強磁性層5を形成する工程とを含む。ここまでの工程で、スピントンネル効果膜が形成されるとともに、磁気抵抗比の増大及び安定を図るための熱処理が施されたことになる。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の強磁性層、トンネル絶縁膜を順次形成する工程と、前記トンネル絶縁膜の表面をレーザ光により一様に加熱する工程と、前記レーザ光による加熱の後、前記トンネル絶縁膜上に第2の強磁性層を形成する工程とを含むことを特徴とする磁気抵抗素子の製造方法。

IPC (6件)：

H01L 43/12 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (6件)：

H01L 43/12 ,  G11B 5/39 ,  H01F 41/14 ,  H01L 43/08 Z ,  H01L 27/10 447 ,  G01R 33/06 R

Fターム (22件)：

2G017AA01 ,  2G017AD55 ,  2G017AD65 ,  5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BA17 ,  5D034CA00 ,  5D034DA04 ,  5D034DA07 ,  5E049AA00 ,  5E049BA12 ,  5E049BA16 ,  5E049CB02 ,  5E049DB12 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA02 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33