特許
J-GLOBAL ID：200903067761967757
半導体基板材料
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小堀 益 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101555
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299531
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：
【要約】【課題】 WあるいはMoのような高融点金属のワイヤー群と、CuあるいはAgのような高熱伝導性金属粉末と焼結体、あるいは高融点金属の焼結体中に高熱伝導性金属を溶浸した半導体基板材料における熱伝導率と熱膨張係数の改善。【解決手段】 高融点金属のワイヤー群に高熱伝導性金属粉末を混合して成形し焼結した、または、高融点金属の複数のワイヤー群と高熱伝導性金属粉末との混合物の成形体に高熱伝導性金属を溶浸した半導体基板材料である。使用する高融点金属のワイヤー群を構成するそれぞれのワイヤーの直径は、成形性を考えて10〜500μmが好適であり、高熱伝導性金属粒子の平均粒径は1〜50μmであり、高融点金属の含有量は10〜90重量%である。
請求項（抜粋）：
複数の高融点金属のワイヤーよりなるワイヤー群、あるいは、複数の高融点金属のワイヤーよりなるワイヤー群と高熱伝導性金属粉末との混合体の成形体を焼結した焼結体、あるいはこの焼結体に高熱伝導性金属を溶浸した半導体基板材料であって、前記高融点金属ワイヤー群が10〜90重量%と、残部が高熱伝導性金属からなり、高融点金属ワイヤー群を構成するそれぞれのワイヤーの直径が10〜500μmであることを特徴とする半導体基板材料。
Fターム (3件)：
5F036AA01
, 5F036BB01
, 5F036BD01
