プラズマCVD装置及びプラズマCVD膜形成方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：油井透 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-312234
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135626
出願日： 1999年11月02日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】プラズマCVD装置において、メンテナンスサイクルを延ばすと共にカソード電極のフッ化の低減を図る。【解決手段】カソード電極17には、カソード電極17とアノード電極3間にガスを導入するためのガス導入孔5が複数設けられている。このガス導入孔5が設けられているカソード電極17のアノード電極3と対向する面に、カソード電極17の面積を増大させるための凹部14を複数設ける。凹部14は、3mm以上乃至ガス導入孔5のピッチよりも小さい幅を有し、ガス導入孔5の開口面積よりも大きい開口面積を有するようにする。

請求項（抜粋）：

減圧可能な処理室と、該処理室内に配置された一対の平板電極であって、基板が載置され、かつ接地される第1電極、及び複数のガス導入孔を有し、かつ高周波が印加される第2電極と、該第2電極のガス導入孔を介して第1電極と第2電極間にガスを供給する成膜ガス供給管と、前記処理室からガスを排気する排気管とを備え、前記第2電極の第1電極と対向する面に凹部を設けたことを特徴とするプラズマCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 , C23C 16/455 , H05H 1/46

FI (3件)：

H01L 21/31 C , C23C 16/455 , H05H 1/46 M

Fターム (18件)：

4K030EA05 , 4K030FA03 , 4K030KA17 , 5F045AA08 , 5F045AB33 , 5F045AC01 , 5F045AC12 , 5F045AD06 , 5F045AE21 , 5F045AF07 , 5F045BB10 , 5F045BB14 , 5F045EE14 , 5F045EH04 , 5F045EH05 , 5F045EH14 , 5F045EK07 , 5F045EM10

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