堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置、並びに堆積膜形成装置のクリーニング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-335699
公開番号（公開出願番号）：特開平8-225945
出願日： 1994年12月21日
公開日（公表日）： 1996年09月03日
要約：

【要約】【目的】本発明は、機能性堆積膜、特に半導体ディバイス、電子写真用光受容部材、画像入力用ラインセンサー、撮像ディバイス、光起電力ディバイス等に用いる、アモルファス半導体を形成するものにおいて、優れた画像性を有する良質の堆積膜を、安価に安定して供給し得る、堆積膜形成方法及び堆積膜形成装置を提供することにある。【構成】本発明は、上記目的を達成するために、真空気密に形成された反応容器の放電空間内に、原料ガス並びにマイクロ波電力及び高周波電力を導入し、印加手段を介して前記原料ガスを分解して、前記放電空間内に配置された基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成手段であって、前記放電空間内の所定の位置に配置された前記高周波電力への複数の印加手段によって、特性の優れた堆積膜を形成するようにしたものである。

請求項（抜粋）：

反応容器内を排気しながら反応容器内に原料ガスを導入し、高周波電力を印加して、前記反応容器内に配置された基体上に堆積膜を形成する堆積膜形成方法において、前記反応容器内の排気速度と放電部の容積との比の値を0.4以上2.0未満とすることを特徴とする堆積膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 16/50 , G03G 5/08 105 , H01L 21/205

FI (3件)：

C23C 16/50 , G03G 5/08 105 , H01L 21/205

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