低圧冷間溶接によるデバイス製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-508548
公開番号（公開出願番号）：特表2006-512744
出願日： 2003年12月02日
公開日（公表日）： 2006年04月13日
要約：

パターン形成されたスタンプ、好ましくは柔らかいエラストマースタンプから基板に金属および/または有機層を転写する方法が提供される。このパターン形成された金属または有機層は例えば広範囲の電子デバイスで使用することができる。この方法は、有機電子構成部品のナノスケールパターン形成に特に適している。

請求項（抜粋）：

パターン形成された柔らかいエラストマースタンプの上に金属層を付着させること、および、前記パターン形成された柔らかいエラストマースタンプから基板上に前記金属層を転写すること、を含むデバイス製造方法。

IPC (4件)：

H05B 33/10 , H01L 21/28 , H01L 21/320 , H01L 51/50

FI (4件)：

H05B33/10 , H01L21/28 Z , H01L21/88 B , H05B33/14 A

Fターム (20件)：

3K007AB18 , 3K007DB03 , 3K007FA00 , 3K007FA01 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB36 , 4M104DD31 , 4M104GG04 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 4M104HH14 , 5F033HH08 , 5F033HH11 , 5F033HH13 , 5F033HH14 , 5F033PP00 , 5F033VV15 , 5F033XX03

引用特許：

出願人引用 (9件)

米国特許第6,468,819号明細書
米国特許第6,407,408号明細書
米国特許第6,596,443号明細書

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審査官引用 (3件)

有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-282073 出願人：富士ネームプレート株式会社, 科学技術振興事業団
電界ルミネセンスデバイスおよびその製造法
公報種別：公表公報出願番号：特願2001-521126 出願人：オスラムオプトセミコンダクターズゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツング
有機ELパネルの製造方法およびそれに用いる印刷用ブランケット
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-180319 出願人：住友ゴム工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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