特許

J-GLOBAL ID：200903067776577734

化合物半導体基板の製造方法

発明者： 片浜 久 ,  柴 育成
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-160484
公開番号（公開出願番号）：特開平9-017727
出願日： 1995年06月27日
公開日（公表日）： 1997年01月17日
要約：

【要約】【構成】 Si基板11上に少なくとも20nmの熱酸化膜12を一旦形成した後、熱酸化膜12を除去し、熱酸化膜12が除去されたSi基板11上にGaAs層13をエピタキシャル成長させる化合物半導体基板の製造方法。【効果】 熱酸化膜12を除去すると、高価なSiエピタキシャル基板を用いることなく、清浄でかつ規則的、安定的なステップ構造の表面11bを有するSi基板11が容易に形成され、Si基板11に別の素子を確実に形成することができる。このため、この後に施す前熱処理の温度を比較的低温の約500°Cに設定することができ、製造コストを削減し、かつ熱影響による素子の劣化を防止することができると共に、Si基板11上に化合物半導体層13を確実にエピタキシャル成長させることができる。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させる化合物半導体基板の製造方法において、前記シリコン基板上に少なくとも20nmの熱酸化膜を一旦形成した後、該熱酸化膜を除去し、該熱酸化膜が除去されたシリコン基板上に化合物半導体層をエピタキシャル成長させることを特徴とする化合物半導体基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/306

FI (4件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/306 A