特許

J-GLOBAL ID：200903067776780432

ドープされた半導体材料から成る導電性先端の製造方法

発明者： ラインハルト シユテングル ,  ハンス-ウイリー モイル ,  ウオルフガング ヘーンライン
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-355261
公開番号（公開出願番号）：特開平5-095140
出願日： 1991年12月20日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：

【要約】【目的】 nm範囲の先端半径を容易に制御可能に調整することのできる導電性先端の製造法を得る。【構成】 半導体材料が選択的エピタキシーに際して成長しない物質を少なくともその表面及び直接基板(1)上に含むマスク層2、3、4を、半導体材料から成る基板1上に製造する。このマスク層2、3、4中に基板1の表面が露出する開口6を製造する。基板1の表面に対して平行な方向での層成長が基板1の表面に対して垂直な方向におけるよりも小さい選択的エピタキシーにより、導電性先端7を基板1の露出表面上に製造する。

請求項（抜粋）：

ドープされた半導体材料から導電性先端を製造する方法において、a) 半導体材料から成る基板(1)上にマスク層(2、3、4、11)を作り、このマスク層が少なくともその表面及び直接基板(1)上に、半導体材料が選択的エピタキシーに際して成長しない物質を含み、b) このマスク層(2、3、4、11)中に、基板(1)の表面が露出する開口(6)を作り、c) 基板(1)の露出する表面上に、基板(1)の表面に対して平行な方向での層成長が基板(1)の表面に対して垂直な方向におけるよりも少ない選択的エピタキシーにより導電性先端(7)を作る各工程を有するドープされた半導体材料から成る導電性先端の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 45/00 ,  H01J 1/30 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/306

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開昭63-221528
  
• 特開昭64-086428
  

審査官引用 (2件)

• 特開昭63-221528
  
• 特開昭64-086428