特許

J-GLOBAL ID：200903067783718181

半導体発光素子及びその作製方法

発明者： 吉本 直人 ,  松岡 隆志 ,  佐々木 徹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 吉田 精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-211501
公開番号（公開出願番号）：特開平6-061527
出願日： 1992年08月07日
公開日（公表日）： 1994年03月04日
要約：

【要約】【目的】 Inx Gay Al1-x-y N膜の結晶性を向上させた高効率、長寿命の半導体発光素子を提供すること、及び、MnO、ZnO、MgAl2 O4 、MgO及びCaO等の酸化物基板を高温や還元雰囲気中においても基板の結晶性が劣化しない半導体発光素子の作製方法を提供すること。【構成】 発光素子の作製時において、ZnO基板2の面の内、素子形成しない他の面及び側面に高温或は還元雰囲気に耐えるSiSiO2 保護膜12を形成し、その後InX GaY Al1-X-Y Nバッファ層13を発光素子形成温度より低温で堆積した後、発光素子を形成する。【効果】 ZnO単結晶基板2を用いてInGaAlN四元混晶系を高い温度で成長することができると共に、成長した膜の結晶性を劣化させることがなく、高効率、長寿命の半導体発光素子を形成することができる。

請求項（抜粋）：

MnO、ZnO、MgAl2 O4 、MgO或いはCaOの何れかの基板面の第一の面上に形成されたInX GaY Al1-X-Y N(0≦X≦1、0≦Y≦1、0≦X+Y≦1)薄膜層と、該薄膜層上に形成された少なくとも一層のInX'GaY'Al1-X'-Y'N(0≦X ́≦1、0≦Y ́≦1、0≦X ́+Y ́≦1)層を含む半導体発光素子において、前記基板面のうち少なくとも前記第一の面と対向する第二の面が、高温或いは還元雰囲気に耐える材料で覆われている、ことを特徴とする半導体発光素子。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-209577
  
• 特開昭48-020490
  
• 特公昭49-029099