特許
J-GLOBAL ID：200903067796971226
半導体集積回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
外川 英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-209061
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036008
出願日： 1999年07月23日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
要約：
【要約】【課題】 素子特性ばらつきに応じて、内部電位を変動させること。【解決手段】 本発明は、素子の特性ばらつきに応じて、例えば(1)半導体集積回路の回路動作速度には余裕があり消費電流が多くなる場合(トランジスタのしきい値電圧が低めにできた場合など)には、その電源電圧(内部電位)を回路動作速度のスペックを満たしつつなるべく低めに設定して消費電流の削減をねらい、(2)半導体集積回路の回路動作速度が遅くなる場合(トランジスタのしきい値電圧が高めにできた場合など)には、なるべく電源電圧(内部電位)を高めに設定して動作速度のスペックに到達させようとする内部回路である。
請求項（抜粋）：
集積回路を動作させる内部電位を発生させる内部電源電位生成回路と、前記集積回路の動作速度と所定の動作速度とを比較する回路動作速度比較回路と、前記内部電位を所定の初期値から上昇させ、前記集積回路の動作速度が前記所定の動作速度よりも速くなったところの電位を前記内部電位として設定する内部電位制御回路と、を具備することを特徴とする半導体集積回路。
IPC (2件)：
Fターム (14件)：
5F038AV15
, 5F038AV17
, 5F038AV18
, 5F038BB04
, 5F038BB05
, 5F038BB07
, 5F038BB08
, 5F038DF01
, 5F038DF05
, 5F038DF12
, 5F038DT02
, 5F038DT10
, 5F038DT12
, 5F038EZ20
