特許

J-GLOBAL ID：200903067804653573

ドライエッチング方法

発明者： 山根 徹也
出願人/特許権者： ソニー株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322571
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150482
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】 Ti系およびAl系材料の積層体をプラズマエッチングする際に、従来の半導体製造プロセスを大きく変更することなく、しかもプラズマダメージが少なく、安定したレジスト残量を維持しつつ、Al配線パターンを形成することができるドライエッチング方法を提供する。【解決手段】 塩素ガスを含有するエッチングガスを用い、下地上に形成したAl系およびTi系材料の積層体に対し、高周波電源から高周波を印加してプラズマエッチングするドライエッチング方法において、前記積層体に対し高周波を2ステップで印加する。

請求項（抜粋）：

塩素ガスを含有するエッチングガスを用い、下地上に形成したAl系およびTi系材料の積層体に対し、高周波電源から高周波を印加してプラズマエッチングするドライエッチング方法において、前記積層体に対し高周波を2ステップで印加することを特徴とするドライエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 ,  G03F 7/40 521

FI (2件)：

H01L 21/302 B ,  G03F 7/40 521

Fターム (18件)：

2H096AA25 ,  2H096HA13 ,  2H096HA24 ,  2H096HA25 ,  5F004AA06 ,  5F004BB13 ,  5F004CA03 ,  5F004CA06 ,  5F004CB18 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DB02 ,  5F004DB06 ,  5F004DB09 ,  5F004DB12 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB03