特許

J-GLOBAL ID：200903067812589698

薄膜エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法

発明者： 河島 朋之 ,  加藤 久人 ,  寺尾 豊 ,  河村 幸則
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-099406
公開番号（公開出願番号）：特開平7-307197
出願日： 1994年05月13日
公開日（公表日）： 1995年11月21日
要約：

【要約】【目的】両電極間に高電界を印加した際の電界集中が小さく、絶縁破壊を生じることのない高信頼度のものを得る。【構成】ガラス基板1の上に、スパッタリング法により、成膜圧力 3mTorrで 100nmのMo層を成膜して第1電極下部層21とし、さらに成膜圧力を20mTorrに上げて 100nmのMo層を成膜して第1電極上部層22としたのち、レジスト11を形成し、エッチングを行って第1電極下部層21と第1電極上部層22とをパターニングする。続いて、レジスト11を剥離したのち、例えば Si3N4を 200nm成膜して第1絶縁膜3を、例えば Mn 添加 ZnSを 700nm成膜して発光層4を形成し、さらに、例えば Si3N4を 200nm成膜して第2絶縁膜5を、ITO透明電極材を 200nm成膜して第2電極6を順次形成することにより薄膜EL素子を得る。

請求項（抜粋）：

基板上に、少なくとも第1電極、第1絶縁膜、発光層、第2絶縁膜、および第2電極を順次積層して構成される薄膜エレクトロルミネッセンス素子の第1電極を、成膜圧力を異にして複数の導電性の層として成膜することを特徴とする薄膜エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

IPC (2件)：

H05B 33/26 ,  H05B 33/10