特許
J-GLOBAL ID：200903067819272819
半導体検査装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-328610
公開番号（公開出願番号）：特開平5-166903
出願日： 1991年12月12日
公開日（公表日）： 1993年07月02日
要約：
【要約】【目的】 半導体素子に傷をつけることなく、半導体素子の高さ位置を正確に測定して、当該半導体素子の高さ位置を精度良く調整することができる半導体検査装置を提供する。【構成】 距離測定ユニット20が半導体ウエハ2が搭載されたステージ3の上方位置に固定されており、検査対象の半導体素子に向けて光ビームLが照射されるとともに、その半導体素子により反射された反射光ビームが受光され、その半導体素子までの距離が検出される。【効果】 距離測定手段と半導体素子の間の距離が非接触で検出されるので、半導体素子に傷をつけつことなく、当該半導体素子の高さ位置を正確に測定することができる。また、その検出値に基づき、ステージの高さ位置を制御することによって、当該半導体素子の高さ位置を調整できる。
請求項（抜粋）：
半導体ウエハに形成された半導体素子を検査するための半導体検査装置において、前記半導体ウエハを保持するステージと、前記ステージを上下駆動するステージ駆動手段と、前記ステージの上方位置に固定され、検査対象の半導体素子に向けて光ビームを照射するとともに、その半導体素子により反射された反射光ビームを受けて、前記半導体素子までの距離を検出する距離測定手段と、前記距離測定手段によって検出された値に基づき前記ステージ駆動手段を制御して、前記ステージの高さ位置を調整する制御システムとを備えたことを特徴とする半導体検査装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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