薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山口巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-055787
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259492
出願日： 1992年03月16日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】pin接合を有するセルを複数積層し、光入射側のトップセルのi層にa-Siより光学ギャップの大きい材料を用いたタンデムセルで光劣化の少ないものを得る。【構成】従来トップセルのi層に用いられていたa-SiCの代わりに、a-Si<SB>(1-x) </SB>O<SB>x </SB>の一般式を有し、0.02<x<0.15である材料を用いることにより、劣化が少なく、12.4%という高い変換効率を持つ薄膜太陽電池が得られる。そのようなa-SiOは、SiH<SB>4 </SB>、CO<SB>2 </SB>、およびH<SB>2 </SB>の混合ガスの分解により成膜できる。

請求項（抜粋）：

pin接合を有するセルの複数を積層した構造を有し、光入射側に近いセルのi層の材料が光入射側より遠いセルのi層を形成する非晶質シリコンより光学ギャップの大きいものにおいて、光入射側に近いセルのi層が一般式a-Si<SB>(1-x) </SB>Ox で表され、0.02<x<0.15であるアモルファスシリコンオキサイドであることを特徴とする薄膜太陽電池。

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭58-199710
特開昭57-202725

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