特許

J-GLOBAL ID：200903067824570607

導電性高分子の形成方法、ならびに電子部品の製造方法

発明者： 直井 克夫 ,  海老沢 晃 ,  門田 敦志 ,  吉原 祐美子 ,  小林 正明
出願人/特許権者： TDK株式会社
代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-428113
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191126
出願日： 2003年12月24日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：

【課題】 導電率を可能な限り安定的に向上させることが可能な導電性高分子の形成方法を提供する。【解決手段】 チオフェン構造を有する単量体(例えば3,4-エチレンジオキシチオフェン)にチオフェン構造を有する結合剤(例えばビチオフェン)を添加して重合させることにより、導電性高分子を生成する。導電性高分子が結合剤の結合促進作用を利用して3次元的に網目構造化するため、その導電性高分子がバルク化すると共に、導電性高分子の物理的強度(骨格強度)が増加する。これにより、導電性高分子に対するドーパントの定着性が向上するため、そのドーパントのドーピング率が安定的に向上する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

チオフェン構造を有する単量体に、チオフェン構造を有する結合剤を添加して重合させることにより、導電性高分子を生成する ことを特徴とする導電性高分子の形成方法。

IPC (4件)：

H01G9/028 ,  C08G61/12 ,  H01B1/12 ,  H01B13/00

FI (5件)：

H01G9/02 331H ,  C08G61/12 ,  H01B1/12 F ,  H01B13/00 Z ,  H01G9/02 331G

Fターム (10件)：

4J032BA03 ,  4J032BA04 ,  4J032BA05 ,  4J032BB01 ,  4J032BC01 ,  4J032BC12 ,  4J032BC13 ,  4J032BD07 ,  4J032CG00 ,  4J032CG08

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3273761号明細書
  
• 特公平06-068926号公報