特許

J-GLOBAL ID：200903067827535837

素子内蔵基板及びその製造方法

発明者： 大矢 洋一
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 飯阪 泰雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-346714
公開番号（公開出願番号）：特開2004-179573
出願日： 2002年11月29日
公開日（公表日）： 2004年06月24日
要約：

【課題】絶縁層から中空部内への水分の侵入を防ぐ素子内蔵基板及びその製造方法を提供すること。【解決手段】絶縁層5〜9と配線層10〜15とが積層された配線基板2内の中空部20に素子25が実装されており、中空部20に露出する絶縁層の表面、及び中空部20内面における絶縁層と配線層との境界を覆うようにして中空部20内面に疎水性材料の膜30が形成されている。更に、中空部20の上面(素子25の実装面に対向する面)は金属膜31で覆われている。【選択図】 図4

請求項（抜粋）：

絶縁層と配線層とが積層された配線基板内の中空部に素子が実装された素子内蔵基板であって、 少なくとも、前記中空部に露出する前記絶縁層の表面に疎水性材料の膜が形成されている ことを特徴とする素子内蔵基板。

IPC (2件)：

H05K3/46 ,  H01L23/12

FI (4件)：

H05K3/46 Q ,  H05K3/46 G ,  H05K3/46 T ,  H01L23/12 N

Fターム (12件)：

5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346CC09 ,  5E346DD32 ,  5E346DD33 ,  5E346EE01 ,  5E346FF04 ,  5E346GG15 ,  5E346GG17 ,  5E346GG28 ,  5E346HH13 ,  5E346HH22