特許
J-GLOBAL ID:200903067828459433

ニッケルハードディスクプラナリゼーションのための多酸化剤ベースのスラリー

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 津国 肇 ,  篠田 文雄 ,  束田 幸四郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-150051
公開番号(公開出願番号):特開2005-046991
出願日: 2004年05月20日
公開日(公表日): 2005年02月24日
要約:
【課題】 ニッケルベースのハードディスク皮膜を研磨には、CMPを利用して酸化剤と錯化及び金属触媒を利用するが、、金属触媒が酸化剤の分解に寄与し、スラリーの可使用時間を非常に短くする。より可使用時間が長く、金属触媒の存在により制限されない、高い除去速度をもつスラリーを提供する。【解決手段】 基材上のニッケル又はニッケル合金の被膜、たとえばメモリハードディスク上のニッケル被膜を平坦化するためのスラリー組成物は、少なくとも2種類の酸化剤と、砥粒と、水とを含み、金属触媒を含まない。この組成物は、メモリディスクの製造中に形成されるニッケル(Ni)及びニッケル合金の被膜を研磨するのに有効である。【選択図】 なし
請求項(抜粋):
基材上のニッケル又はニッケル合金の被膜を平坦化するための組成物であって、 モノペルスルファートを含む第一の酸化剤と、 過酸化水素、過酢酸、ハロゲン酸塩及びそれらの組み合わせからなる酸化剤の群から選択される第二の酸化剤と を含み、金属触媒なしの組成物。
IPC (4件):
B24B37/00 ,  C09K3/14 ,  G11B5/84 ,  H01L21/304
FI (5件):
B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z ,  G11B5/84 A ,  H01L21/304 622D
Fターム (10件):
3C058AA07 ,  3C058CB03 ,  3C058CB04 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5D112AA02 ,  5D112BA08 ,  5D112GA14

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