特許
J-GLOBAL ID：200903067828471301
電界効果型半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
岡田 英彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-010388
公開番号（公開出願番号）：特開平9-205198
出願日： 1996年01月24日
公開日（公表日）： 1997年08月05日
要約：
【要約】【課題】電気的にフローティングな拡散領域を形成することにより、ゲートパッド及びゲート配線とゲート電極とのコンタクト面積を低下させることなく、耐圧を向上させた電界効果型半導体装置を提供する。【解決手段】第1導電型のソース領域20及び第1導電型のドレイン領域12との間に介在させた前記第1導電型とは反対の導電型である第2の導電型のボディ領域16と、このボディ領域16に絶縁層22を隔てて対向しているゲート電極10とで構成される素子領域以外の領域に形成された絶縁層の下側に、この絶縁層の耐圧を越えない電圧で相互にピンチオフする間隔を置いて第2の導電型の拡散領域30を点在形成する。
請求項（抜粋）：
第1導電型のソース領域及び第1導電型のドレイン領域との間に介在させた前記第1導電型とは反対の導電型である第2の導電型のボディ領域と、このボディ領域に絶縁層を隔てて対向しているゲート電極とで構成される素子領域を有する電界効果型半導体装置において、前記素子領域以外の領域に形成された絶縁層の下側に、この絶縁層の耐圧を越えない電圧で相互にピンチオフする間隔を置いて点在形成した第2の導電型の拡散領域、とを備えたことを特徴とする電界効果型半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 29/78 652 P
, H01L 29/78 655 G
, H01L 29/78 658 A
