半導体ナノクリスタルヘテロ構造体

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：石川徹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-559043
公開番号（公開出願番号）：特表2006-508012
出願日： 2003年08月12日
公開日（公表日）： 2006年03月09日
要約：

【課題】なし【解決手段】半導体ナノクリスタルヘテロ構造は、第二半導体物質のオーバーコーティングにより囲まれた、第一半導体物質のコアを有する。励起によって、一のキャリアを、該コアに実質的に閉じ込めることができ、かつ他のキャリアを、該オーバーコーティング層に実質的に閉じ込めることができる。

請求項（抜粋）：

被覆されたナノクリスタルの製造方法であって: 第一半導体物質を含むコアナノクリスタルを、オーバーコーティング反応混合物中に導入すること;及び該コアナノクリスタル上に第二半導体物質をオーバーコートすることを含み、ここで、該第一半導体物質、及び該第二半導体物質は、励起時に、一のキャリアが該コアに実質的に閉じ込められ、かつ他のキャリアが該オーバーコーティング層に実質的に閉じ込められるように選択される、前記方法。

IPC (3件)：

C01B 19/04 , B82B 1/00 , B82B 3/00

FI (3件)：

C01B19/04 A , B82B1/00 , B82B3/00

引用特許：

審査官引用 (7件)

特許第6251303号
特開昭63-178194
特許第6251303号

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