特許

J-GLOBAL ID：200903067836620090

薄膜光電池デバイス及びヘテロ接合薄膜光電池デバイスの製造方法

発明者： ゲイリー エイ ポロック ,  キム ダブリュー ミッチェル
出願人/特許権者： シーメンス ソーラー インダストリーズ インターナショナル インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 矢野 敏雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-332546
公開番号（公開出願番号）：特開平7-007167
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年01月10日
要約：

【要約】【目的】 薄膜光電池デバイス及びヘテロ接合薄膜光電池デバイスの製造方法を提供する。【構成】 該薄膜光電池デバイスは、金属背面接点と、該背面接点上の第1の導電性形の第1の多元半導体膜と、前記第1の半導体膜上の前記第1の導電性形と反対の導電性形を有する第2の透明な金属酸化物半導体膜と、前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜との間の透明な、絶縁金属酸化物の界面の薄膜とからなり、かつ金属背面接点に第1の導電性形の第1の複合半導体薄膜を析出させ、前記第1の半導体薄膜上の透明な絶縁金属酸化物の薄膜を溶液から化学的に析出させ、前記第1の半導体薄膜上の第1の導電性形と反対の導電性形を有する第2の透明な金属酸化物半導体膜を析出させることよりなる。

請求項（抜粋）：

金属背面接点と、該背面接点上の第1の導電性形の第1の多元半導体膜と、前記第1の半導体膜上の前記第1の導電性形と反対の導電性形を有する第2の透明な金属酸化物半導体膜と、前記第1の半導体膜と前記第2の半導体膜との間の透明な、絶縁金属酸化物の界面の薄膜とからなることを特徴とする、薄膜光電池デバイス。