半導体レーザ素子とその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：西野卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-025348
公開番号（公開出願番号）：特開平6-244489
出願日： 1993年02月15日
公開日（公表日）： 1994年09月02日
要約：

【要約】【目的】しきい値電流の低減、信頼性の向上、製造の簡単化が図れるAlGaInP系半導体レーザ素子とその製造方法を提供することを目的とする。【構成】 n型GaAs基板1上に、n型AlGaInPクラッド層2、アンドープのAlGaInP活性層3、p型AlGaInP第1クラッド層4を設け、このp型AlGaInP第1クラッド層4上にZnとSiをドープしたp型AlGaInP第2クラッド層5、その両側に同じくZnとSiをドープしたn型AlGaInP電流阻止層6、6を形成した構造とする。

請求項（抜粋）：

n型半導体基板と、該基板上に形成したn型AlGaInPクラッド層と、該n型AlGaInPクラッド層上に形成した活性層と、該活性層上に形成したp型AlGaInPクラッド層を備え、該p型AlGaInPクラッド層上にZnがドープされたn型AlGaInP電流阻止層を有することを特徴とする半導体レーザ素子。

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