特許
J-GLOBAL ID：200903067851702540
メモリデバイスおよびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
富田 和子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-269844
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213561
出願日： 1995年10月18日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：
【要約】【課題】共鳴トンネルダイオードをメモリデバイスとして用いる際に、異なる抵抗状態を維持するために必要であった連続的なバイアス電圧印加の必要性をなくす。【解決手段】メモリデバイスは、選択的エッチングにより形成されたピラー形状の共鳴トンネルダイオード・アレイからなる。各ピラーは、端子領域T1,T2間に配置された第1および第2の障壁B1,B2、および両障壁間の伝導領域CR1を有する。ピラーの直径は、典型的には20〜50nmのオーダーであり、端子領域間に電圧が印加されない場合に本デバイスが第1および第2の比較的高および低の安定抵抗状態を呈するに十分な程度小さい。本デバイスは、室温で不揮発性メモリとして用いることができる。
請求項（抜粋）：
メモリデバイスであって、第1および第2の端子領域と、該端子領域間に配置された第1および第2の障壁手段と、該第1および第2の障壁手段間の伝導領域とを有し、前記端子領域間へ電圧が印加されない場合に前記メモリデバイスが第1および第2の比較的高および比較的低の安定な抵抗状態を呈するに足る程度に、前記障壁手段および前記伝導領域の寸法を小さく構成したメモリデバイス。
IPC (2件)：
H01L 27/10 451
, H01L 29/88
