過電圧保護回路

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-320678
公開番号（公開出願番号）：特開2002-135973
出願日： 2000年10月20日
公開日（公表日）： 2002年05月10日
要約：

【要約】【課題】スイッチング時に発生する過大なサージ電圧と過大な電圧変化から、主スイッチング素子を保護する。【解決手段】主スイッチング素子の電圧変化によってゲート電圧が変化する絶縁ゲート型半導体素子を主スイッチング素子と並列に接続する。

請求項（抜粋）：

高電圧側主電極と低電圧側主電極とゲート電極を有する絶縁ゲート型半導体素子からなり、主スイッチング素子と並列に接続される過電圧保護回路であって、前記ゲート電極と低電圧側主電極との間にゲート抵抗が接続されたことを特徴とする過電圧保護回路。

IPC (4件)：

H02H 9/04 , H02H 7/20 , H02M 1/00 , H02M 7/48

FI (4件)：

H02H 9/04 B , H02H 7/20 D , H02M 1/00 F , H02M 7/48 M

Fターム (28件)：

5G013AA02 , 5G013AA16 , 5G013BA02 , 5G013CB02 , 5G013DA05 , 5G013DA10 , 5G013DA11 , 5G053AA09 , 5G053BA04 , 5G053CA05 , 5G053EA09 , 5G053EB02 , 5G053EC03 , 5H007CA01 , 5H007CB02 , 5H007CB05 , 5H007CB06 , 5H007FA01 , 5H007FA13 , 5H007FA20 , 5H740BA11 , 5H740BA16 , 5H740BB01 , 5H740BB05 , 5H740BB07 , 5H740BB08 , 5H740BB10 , 5H740MM01

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