特許
J-GLOBAL ID：200903067854547367
塗布膜形成装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 俊夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038148
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224878
出願日： 1998年02月04日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：
【要約】【課題】 例えばTEOS(テトラエトキシシラン)のコロイドを溶媒に分散させた塗布液を半導体ウエハに塗布ユニットで塗布し、次いで塗布膜中のコロイドをエージングユニットでゲル化し、更に塗布膜中の溶媒を溶媒置換ユニットで別の溶媒に置換して、シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を得る場合に、溶媒の蒸発を抑えて良質な膜とすること。【解決手段】 各ユニット2、3、4を互に隣接して配置し、エージングユニット3及び溶媒置換ユニット4におけるウエハの滞在時間のうちの長い方よりも塗布ユニット2における滞在時間が長くなるように、ウエハが塗布ユニット2内に搬入されてから塗布液の塗布が開始されるまでの待ち時間を調整しておき、一連の工程の中で塗布ユニット2の滞在時間を律速にしておく。
請求項（抜粋）：
成膜成分の出発物質の粒子またはコロイドを溶媒に分散させた塗布液を基板の表面に塗布して塗布膜を形成するための塗布部と、前記塗布部にて形成された塗布膜中の粒子またはコロイドをゲル化するためのn個のゲル化処理部と、前記塗布部に基板を搬入し、その後塗布部からゲル化処理部に搬送し、更に当該ゲル化処理部から基板を搬出するための搬送手段と、を備え、前記搬送手段から基板を塗布部に受け渡した後、この基板を塗布部から搬送手段に受け渡すまでの時間をt1とし、前記搬送手段からゲル化処理部に基板を受け渡した後、この基板をゲル化処理部から搬送手段に受け渡すまでの時間をt2とすると、t1がt2/n以上の長さとなるように、前記塗布部における基板の塗布前の待ち時間が調整されていることを特徴とする塗布膜形成装置。
IPC (6件)：
H01L 21/31
, B05C 9/08
, B05C 11/08
, G03F 7/16 502
, H01L 21/316
, H01L 21/768
H01L 21/31 A
, B05C 9/08
, B05C 11/08
, G03F 7/16 502
, H01L 21/316 G
, H01L 21/90 Q
