特許

J-GLOBAL ID：200903067865355265

波長変換素子

発明者： 久保田 広文 ,  竹間 清文
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-139012
公開番号（公開出願番号）：特開平8-006083
出願日： 1994年06月21日
公開日（公表日）： 1996年01月12日
要約：

【要約】【目的】 光損傷しきい値が高く、高出力まで安定した動作が得られる高変換効率の波長変換素子を提供する。【構成】 波長変換素子は、基板と、少なくともリチウム(Li)、カリウム(K)、タンタル(Ta)及びニオブ(Nb)の有機化合物を昇華させた有機金属化合物ガスの各々を有機金属気相エピタキシ装置の成長室に配置された基板上へ導入し、有機金属化合物ガスの反応により、基板の表面に堆積されたK3Li2-xNb5+x-yTayO15+2x(-0.4≦x≦0.20,0≦y≦0.33)のエピタキシャルクラッド層と、エピタキシャルクラッド層上に堆積されたK3Li2-x'Nb5+x'-y'TayO15+2x'(-0.4≦x'≦0.20,0≦y'≦0.33)からなりエピタキシャルクラッド層よりも等価屈折率の大きいエピタキシャル導波路層と、からなる。

請求項（抜粋）：

基板と、少なくともリチウム(Li)、カリウム(K)、タンタル(Ta)及びニオブ(Nb)の有機化合物を昇華させた有機金属化合物ガスの各々を有機金属気相エピタキシ装置の成長室に配置された前記基板上へ導入し、前記有機金属化合物ガスの反応により、前記基板の表面に堆積されたK3Li2-xNb5+x-yTayO15+2x(-0.4≦x≦0.20,0≦y≦0.33)のエピタキシャルクラッド層と、前記エピタキシャルクラッド層上に堆積されたK3Li2-x'Nb5+x'-y'TayO15+2x'(-0.4≦x'≦0.20,0≦y'≦0.33,x+0.0005≦x'≦x+0.005,x'≠x)からなり前記エピタキシャルクラッド層よりも屈折率の大きいエピタキシャル導波路層と、からなることを特徴とする波長変換素子。

IPC (2件)：

G02F 1/37 ,  H01S 3/109

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-054117
  
• 特開平4-204525
  
• 特開平2-011925