特許

J-GLOBAL ID：200903067865617014

レジスト表面反射防止膜形成材料

発明者： 宮沢 靖夫 ,  山口 哲彦
出願人/特許権者： 昭和電工株式会社
代理人 (1件)： 矢口 平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-031420
公開番号（公開出願番号）：特開平11-231545
出願日： 1998年02月13日
公開日（公表日）： 1999年08月27日
要約：

【要約】【課題】 フォトレジスト上に形成する反射防止膜形成材料において、水溶性、低屈折率、透明性、PEB耐熱性、化学増幅系レジスト適正の優れたレジスト表面反射防止膜形成材料。【解決手段】 特定の繰り返し構造単位を含む水溶性のN-ビニルカルボン酸アミド系ポリマーと界面活性剤を含み、その屈折率が1.2〜1.4の範囲であることを特徴とする組成物からなる反射防止膜形成材料を提供することにより、上記課題を解決した。

請求項（抜粋）：

フォトレジスト上に形成される反射防止膜形成材料において、下記一般式(I)【化1】(式中、R1 、R2 は互いに独立して水素、またはメチル基、エチル基、プロピル基もしくはイソプロピル基を表す)で表される特定の繰り返し構造単位を含む水溶性のN-ビニルカルボン酸アミド系ポリマーと界面活性剤を含み、その組成物の屈折率が1.2〜1.4の範囲であることを特徴とする化学増幅系レジスト用のレジスト表面反射防止膜形成材料。

IPC (2件)：

G03F 7/11 501 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

G03F 7/11 501 ,  H01L 21/30 574